IRF7416
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7416

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -30 V
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7416
IRF7416
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -10 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    22 nC
  • QG (typ @10V)
    61 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    20 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    35 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2.04 V
  • VGS(th)
    -1.52 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.27
推荐的
OPN
IRF7416TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速开关
  • 完全雪崩额定值
  • 175°C 工作温度
  • P 沟道 MOSFET
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区