在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7480M

采用 DirectFET ™ ME 封装的 40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IRF7480M
IRF7480M
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    217 A
  • Ptot max
    96 W
  • Qgd
    44 nC
  • QG (typ @10V)
    123 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET (M)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Micro-stencil
    IRF66ME-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.84
受到推崇的
OPN
IRF7480MTRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (M)
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (M)
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 终端应用包括无绳电动设备和园艺工具、轻型电动汽车和需要高耐用性和高能效的电动自行车。

特性

  • 双面冷却能力
  • 0.7mm 低封装高度
  • 低寄生电感封装
  • 100% 无铅（无 ROHS 豁免）
  • 开关频率低于 >100KHz 的应用
  • 符合 JEDEC 标准
  • 针对最广泛的可用性进行了优化

产品优势

  • 高功率密度
  • 低调设计
  • 高效率
  • 环保
  • 高性能、低频率
  • 行业标准资质水平
  • 广泛分布

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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