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IRF7580M
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF7580M

停产
采用 DirectFET ME 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
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封装
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IRF7580M
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    114 A
  • 最高 Ptot
    115 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.6 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.3 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET(M)
  • 微型模板
    IRF66ME-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    3

OPN
IRF7580MTRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-8
封装名 DirectFET ME
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX
晶圆产地
MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-8
封装名 DirectFET ME
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
MY
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产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对 10V 栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
  • 针对低于 <100KHz 的应用进行了硅优化
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 双面冷却能力
  • 封装高度低至 0.7 毫米
  • 低寄生电感（1-2 nH）封装
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区