IRF60DM206
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IRF60DM206

采用 DirectFET ™ ME 封装的 60V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF60DM206
IRF60DM206
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    130 A
  • 最高 Ptot
    96 W
  • Qgd
    40 nC
  • QG (typ @10V)
    133 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.9 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.3 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.7 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET (M)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 微型模板
    IRF66ME-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    1.07
OPN
IRF60DM206XTMA1 IRF60DM206 IRF60DM206ATMA1
产品状态 not for new design discontinued discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-8
DIRECTFET
MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (M) DirectFET (M) DirectFET (M)
封装尺寸 4800 4800 4800
封装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 1 N/A 1
防潮封装 DRY DRY DRY
无铅 Yes No No
无卤素 Yes Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes Yes
Infineon stock last updated:
视图替换
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (M)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 DIRECTFET
封装名 DirectFET (M)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (M)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 高额定电流
  • 双面冷却能力
  • 封装高度低至 0.7 毫米
  • 寄生 (1-2 nH) 封装电感
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高载流能力
  • 最佳热性能
  • 紧凑的外形
  • 高效率
  • 环保
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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