IRF7807Z

IRF7807Z

采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF7807Z
IRF7807Z
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    2.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    7.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    13.8 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    18.2 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.24
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 超低栅极阻抗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区