IRF8302M

30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET 和肖特基二极管，采用 DirectFET ™ MX 封装
数据手册

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IRF8302M
IRF8302M
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    190 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.8 W
  • Ptot max
    104 W
  • Qgd
    8.9 nC
  • QG (typ @4.5V)
    35 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1.8 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET (M)
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Micro-stencil
    IRF66MX-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Special Features
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
  • Budgetary Price €/1k
    0.96
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 高额定电流
  • 双面冷却能力
  • 封装高度低至 0.7 毫米
  • 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 高载流能力
  • 最佳热性能
  • 紧凑的外形
  • 高效率
  • 环保

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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