IRF8707G

IRF8707G

采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF8707G
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数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    9.1 A
  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    11 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    2.2 nC
  • QG
    6.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11.9 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    17.5 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    11.9 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区