IRF9395M

采用 DirectFET MC 封装的 -30V 双 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 -14 安培，具有低导通电阻
数据手册

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IRF9395M
IRF9395M
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -75 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.1 W
  • Qgd (typ)
    15 nC
  • QG (typ @4.5V)
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    11.9 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th)
    -1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    DirectFET MC
  • Polarity
    P+P
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 双 P 沟道 MOSFET
  • 低轮廓（小于 0.7 毫米）
  • 双面冷却

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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