IRF9395M

IRF9395M

采用 DirectFET MC 封装的 -30V 双 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 -14 安培，具有低导通电阻
数据手册

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IRF9395M
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -75 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.1 W
  • Qgd (typ)
    15 nC
  • QG (typ @4.5V)
    32 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    11.9 mΩ
  • 最高 RthJA
    60 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1.3 V 至 -2.4 V
  • VGS(th)
    -1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    DirectFET MC
  • 极性
    P+P
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 双 P 沟道 MOSFET
  • 低轮廓（小于 0.7 毫米）
  • 双面冷却

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区