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停产
已停产
符合RoHS标准

IRFH4210D

停产
采用 5mm X 6mm PQFN 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFH4210D
IRFH4210D
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    266 A
  • Ptot max
    125 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.5 W
  • Qgd
    13.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    37 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.35 mΩ
  • RthJC max
    1 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 B
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 特殊功能
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
OPN
IRFH4210DTRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 低 RDS(ON)（小于 1.10 毫欧姆）
  • 低正向电压肖特基本征二极管
  • PCB 热阻低（小于 1.0°C/W）
  • 低轮廓（小于 0.9 毫米）
  • 行业标准引脚排列
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 符合 RoHS 规定，不含卤素
  • MSL1，工业资格
  • FastIRFET ™

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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