IRFH4210D

IRFH4210D

采用 5mm X 6mm PQFN 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFH4210D
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    266 A
  • 最高 Ptot
    125 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.5 W
  • Qgd
    13.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    37 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.1 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.35 mΩ
  • 最高 RthJC
    1 K/W
  • Special Features
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    25 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.1 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 B
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 低 RDS(ON)（小于 1.10 毫欧姆）
  • 低正向电压肖特基本征二极管
  • PCB 热阻低（小于 1.0°C/W）
  • 低轮廓（小于 0.9 毫米）
  • 行业标准引脚排列
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 符合 RoHS 规定，不含卤素
  • MSL1，工业资格
  • FastIRFET ™

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区