IRFH4255D

25V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装
数据手册

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IRFH4255D
IRFH4255D
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商品详情

  • ID max
    64 A, 105 A
  • IDpuls max
    420 A, 120 A
  • Ptot max
    31 W, 38 W
  • Qgd
    8.4 nC, 3.8 nC
  • QG
    23 nC, 10 nC
  • RDS (on) max
    3.2 mΩ, 1.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4.6 mΩ, 2.1 mΩ
  • RthJA max
    34 K/W, 31 K/W
  • Tj min
    -55 °C
  • VDS max
    25 V, 25 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • Operating Temperature min
    -55 °C
  • Polarity
    N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Special Features
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 控制和同步 MOSFET 集成在一个封装中
  • 低充电控制 MOSFET（典型值 10nC）
  • 低 RDSON 同步 MOSFET（小于 2.10mOhms）
  • Q2 上的低正向电压本征肖特基二极管
  • 符合 RoHS 规定
  • 无卤素
  • MSL1
  • 行业资质
  • FastIRFET ™

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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