IRFH7545
在产
符合RoHS标准

IRFH7545

60V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 Option E 封装
数据手册
封装

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IRFH7545
IRFH7545
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    85 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • Qgd
    22 nC
  • QG (typ @10V)
    73 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5.2 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.34
推荐的
OPN
IRFH7545TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 标准表面贴装功率封装
  • 符合 JEDEC 标准
  • 低于 100 kHz 的开关应用
  • 更软的体二极管
  • 提供广泛的产品组合

产品优势

  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 行业标准资质等级
  • 高性能、低频率
  • 提高功率密度
  • 灵活选择最佳器件
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