IRFH7787

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75V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 Option E 封装
数据手册

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IRFH7787
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    68 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • Qgd
    23 nC
  • QG (typ @10V)
    75 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 提供广泛的产品组合

产品优势

  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 行业标准资质等级
  • 低频应用中的高性能
  • 提高功率密度
  • 为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区