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IRFHM830

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30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，PQFN 封装，3.3x3.3封装
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IRFHM830
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    40 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.7 W
  • Ptot max
    37 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    6 mΩ
  • RthJC max
    3.4 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.35
OPN
IRFHM830TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准表面贴装封装
  • 高 RDS(on) SO8 的替代品

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 外形小巧

文档

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