IRFHM831

30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFHM831
IRFHM831
数据手册

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    14 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    47 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Ptot max
    27 W
  • Qgd
    2.5 nC
  • QG
    7.3 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    12.6 mΩ
  • RDS (on) max
    7.8 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    7.8 mΩ
  • RthJC max
    4.7 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • PCB 热阻低（低于 4.7°C/W）
  • 低轮廓（小于 1.0 毫米）
  • 行业标准引脚排列
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 合格的工业
  • 合格的 MSL1

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }