请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
IRFI3306G
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRFI3306G

停产
采用 TO-220 Full-Pak 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
封装
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFI3306G
IRFI3306G
视图替换

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    71 A
  • 最高 Ptot
    46 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    90 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.2 mΩ
  • 最高 RthJC
    3.23 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 极性
    N
OPN
IRFI3306GPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 增强了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
  • 无铅
  • 无卤素

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区