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无铅

IRFI4019H-117P

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150V 双 N 通道数字音频 StrongIRFET ™功率 MOSFET,采用 TO-220 FullPak 封装

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商品详情

  • ID (@25°C) max
    8.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    18 W
  • Qgd (typ)
    3.9 nC
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    95 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.95 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    TO-220 FullPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N+N
  • Budgetary Price €/1k
    0.96
OPN
IRFI4019H-117P IRFI4019H-117PXKMA1
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO-220 FullPAK FullPAK-220
包装尺寸 1000 1000
包装类型 TUBE TUBE
湿度 N/A NA
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO-220 FullPAK
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 FullPAK-220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。

特性

  • 符合 RoHS 规范
  • 低 RDS(on)
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 集成半桥封装
  • 低 Qrr
低 Qg 和 Qsw
  • 隔离封装
  • 产品优势

    • 环保
    • 高功率密度
    • 集成设计
    • 节省电路板
    • 低 EMI
    • 实现更佳的 THD 和高效率
    • 无需绝缘硬件

    应用

    文档

    设计资源

    开发者社区

    { "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }