IRFL024Z
在产
符合RoHS标准

IRFL024Z

采用 SOT-223 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFL024Z
IRFL024Z


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    5.1 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.8 W
  • Qgd
    3.9 nC
  • QG (typ @10V)
    9.1 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    57.5 mΩ
  • 最高 RthJA
    45 K/W
  • Special Features
    Small Power, Fused leads
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-223
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.19

OPN
IRFL024ZTRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 SOT-223
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SOT-223
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
TW

应用

文档

设计资源

开发者社区