在产
符合RoHS标准

IRFR5305

采用 D-Pak 封装的 -55V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装
多个 OPN 可用
每件.

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IRFR5305
IRFR5305
每件.
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -31 A
  • 最高 Ptot
    89 W
  • Qgd
    19.3 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (typ @10V)
    65 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    -55 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -4 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.29, 0.25
推荐的
OPN
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRLPBF
产品状态 active active
英飞凌封装名称
DPAK
DPAK
封装名 DPAK DPAK
包装尺寸 2000 3000
包装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL LEFT
湿度 1 1
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 No No
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt
  • 额定值 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C
  • P沟道MOSFET

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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