IRFS3206
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRFS3206

采用 D2-Pak 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
封装

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IRFS3206
IRFS3206

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    210 A
  • 最高 Ptot
    300 W
  • Qgd
    35 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.5 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.92
OPN
IRFS3206TRRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL RIGHT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL RIGHT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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