IRFSL38N20D

IRFSL38N20D

采用 TO-262 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFSL38N20D
IRFSL38N20D

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    43 A
  • 最高 Ptot
    320 W
  • Qgd
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    54 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.47 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷，可降低开关损耗
  • 全面表征电容，包括有效功耗，以简化设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区