IRHC63134CDK
现货,推荐
符合RoHS标准

IRHC63134CDK

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IRHC63134CDK
IRHC63134CDK

商品详情

  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    150 V
  • 产品组
    Rad hard power MOSFET
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHC63134CDK 是采用裸片封装的 100V 抗辐射 MOSFET。该 R6 代器件的电气性能高达 300 kRad(Si),并根据 MIL-PRF-19500 附录 G 进行了 K 级筛选。

应用

文档

设计资源

开发者社区