现货，推荐

IRHF67230SCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHF67230SCS
IRHF67230SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    5.7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    145 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF67230SCS R6 抗辐射 N 沟道 MOSFET 是一款高性能功率器件，适用于空间应用。该器件额定电压为 200V，额定电流为 9.1A，采用 TO-205AF 封装。其电气性能高达100krad(Si) TID，并经过QIRL分类。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器中的开关应用的理想选择。LET性能高达90MeV·cm2/mg。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }