IRHF67230SCS
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IRHF67230SCS

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封装

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IRHF67230SCS
IRHF67230SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    5.7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    145 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHF67230SCS R6 抗辐射 N 沟道 MOSFET 是一款高性能功率器件，适用于空间应用。该器件额定电压为 200V，额定电流为 9.1A，采用 TO-205AF 封装。其电气性能高达100krad(Si) TID，并经过QIRL分类。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器中的开关应用的理想选择。LET性能高达90MeV·cm2/mg。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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