IRHG6110SCS
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IRHG6110SCS

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封装

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IRHG6110SCS
IRHG6110SCS
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (N-CH @100°C)
    0.6 A
  • 最高 ID (N-CH @25°C)
    1 A
  • 最高 ID (P-CH @100°C)
    -0.5 A
  • 最高 ID (P-CH @25°C)
    -0.75 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (P-CH @25°C)
    1400 mΩ
  • 最高 RDS (on) (N-CH @25°C)
    700 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    100 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    MO-036AB
  • 极性
    2N / 2P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 配置
    Quad
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHG6110SCS 是一款 R4、抗辐射、-100V 双 2N/2P 通道 MOSFET，采用 MO-036AB 封装。该MOSFET的电气性能高达100krad(Si) TID和QIRL分类。该器件具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区