IRHLG7S7214
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IRHLG7S7214

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封装

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IRHLG7S7214
IRHLG7S7214
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (N-CH @100°C)
    0.5 A
  • 最高 ID (N-CH @25°C)
    0.8 A
  • QG
    15 nC
  • QPL部件号
    2N7614M1
  • 最高 RDS (on) (N-CH @25°C)
    1100 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    250 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    MO-036AB
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Quad
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLG7S7214 是采用 MO-036AB 封装的 R7、抗辐射、250V 四 N 沟道 MOSFET。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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