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IRHLNM7S3214SCS
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封装

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IRHLNM7S3214SCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
采用 SMD-0.2 封装的 IRHLNM7S3214SCS N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射、100V、6.5A 单个器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。这些 R7 逻辑电平功率 MOSFET 可抵抗单粒子栅极破裂和单粒子烧毁，同时保持可接受的电压限制。该 MOSFET 是将 CMOS 和 TTL 控制电路与太空和其他辐射环境中的电源设备连接起来的理想简单解决方案。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区