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IRHLNM7S3214SCS

数据手册
封装

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IRHLNM7S3214SCS
IRHLNM7S3214SCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    2 A
  • ID (@25°C) max
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Die Size
    1
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SMD-0.2 封装的 IRHLNM7S3214SCS N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射、100V、6.5A 单个器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。这些 R7 逻辑电平功率 MOSFET 可抵抗单粒子栅极破裂和单粒子烧毁，同时保持可接受的电压限制。该 MOSFET 是将 CMOS 和 TTL 控制电路与太空和其他辐射环境中的电源设备连接起来的理想简单解决方案。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }