不建议用于新设计

IRHLNMC83Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNMC83Y20SCS
IRHLNMC83Y20SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNMC83Y20SCS 是采用 SMD-0.2 封装的单 N 沟道 MOSFET，容量为 20V、17A。它具有抗辐射能力，通过 QIRL 空间级筛选可承受高达 300krad(Si) TID。凭借辐射后可接受的操作限制，它为将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到空间和辐射环境中的电源设备提供了简单的解决方案。R8 FET 非常适合与逻辑门、线性 IC 和微控制器连接。

应用

文档

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