IRHLNMC83Y20SCS
不建议用于新设计

IRHLNMC83Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNMC83Y20SCS
IRHLNMC83Y20SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    17 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • 最高 VF
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLNMC83Y20SCS 是采用 SMD-0.2 封装的单 N 沟道 MOSFET，容量为 20V、17A。它具有抗辐射能力，通过 QIRL 空间级筛选可承受高达 300krad(Si) TID。凭借辐射后可接受的操作限制，它为将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到空间和辐射环境中的电源设备提供了简单的解决方案。R8 FET 非常适合与逻辑门、线性 IC 和微控制器连接。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区