IRHLUB770Z4SCS

数据手册

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IRHLUB770Z4SCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLUB770Z4SCS R7 N沟道MOSFET是用于太空和其他环境中的功率器件的抗辐射解决方案。其额定电压为 60V，额定电流为 0.8A，可保持单粒子门破裂和烧毁免疫力，同时可轻松与大多数逻辑门、微控制器和其他设备类型连接。该单 N 沟道 MOSFET 采用 UB 封装，提供高达 100krad (Si) TID 的电气性能，并具有 QIRL 分类。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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