IRHLYS77034CM
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IRHLYS77034CM

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封装

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IRHLYS77034CM
IRHLYS77034CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    20 A
  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • QG
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    45 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLYS77034CM R7 MOSFET 是一种抗辐射、TO-257AA 低欧姆封装器件，额定电压高达 60V、20A，电气性能高达 100krad(Si) TID。由于具有单粒子门破裂和烧毁免疫力，它非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备。适用于低信号源和电压比较器中的电流增强。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区