IRHLYS77034CM
现货，推荐

IRHLYS77034CM

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLYS77034CM
IRHLYS77034CM
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    20 A
  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7607T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    45 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLYS77034CM R7 MOSFET 是一种抗辐射、TO-257AA 低欧姆封装器件，额定电压高达 60V、20A，电气性能高达 100krad(Si) TID。由于具有单粒子门破裂和烧毁免疫力，它非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备。适用于低信号源和电压比较器中的电流增强。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区