IRHM57264SE

数据手册

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IRHM57264SE
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    26 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    165 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    66 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHM57264SE R5 MOSFET 是一款抗辐射单 N 沟道器件，额定电压高达 250V，电流为 35A。它采用 TO-254AA 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID，适合于空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。它保留了MOSFET的优点，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

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