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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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IRHM7460SE
商品详情
-
ESD等级Class 3B
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最高 ID (@100°C)11.7 A
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最高 ID (@25°C)18 A
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QG180 nC
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QPL部件号2N7392
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最高 RDS (on) (@25°C)320 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS500 V
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最高 VF1.8 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100
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封装TO-254AA
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极性N
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生成R4
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电压等级100 V
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芯片尺寸6
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认证标准DLA
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语言SPICE
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IRHM7460SE 抗辐射 N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 封装，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，最大电流可达 18A，耐压可达 500V。其电气性能高达 100krad(Si) TID，符合 COTS 标准，并且在数十年来在太空和卫星应用中证明了其可靠性。快速开关、电压控制和高温稳定性使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。
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