IRHMB6S7160

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMB6S7160
IRHMB6S7160
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
这款抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHMB6S7160 采用 R6 技术，额定电压为 100V，额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID，COTS 分类。该器件具有低 RDS(on)、低栅极电荷和快速开关功能，非常适合用于电机控制和 DC-DC 转换器。它还具有电压控制和温度稳定性。SEE性能高达LET 60 MeV·cm2/mg。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }