IRHMB6S7260SCS

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IRHMB6S7260SCS
IRHMB6S7260SCS

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMB6S7260SCS R6 N沟道MOSFET是一款具有200V/35A容量的航天级器件。其 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装可提供高达 100krad(Si) TID、QIRL 分类的电气性能。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗。该 MOSFET 提供电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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