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IRHMS57163SESCS
商品详情
-
ESD等级Class 3B
-
ID (@100°C) max45 A
-
ID (@25°C) max45 A
-
QG160 C
-
QPL部件号2N7475T1
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RDS (on) (@25°C) max14.5 mΩ
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SEEYes
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS min130 V
-
VF max1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100
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封装TO-254AA Low Ohmic
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极性N
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生成R5
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IRHMS57163SESCS R5 N 沟道 MOSFET 是一种航天级器件，具有防辐射设计、额定电压为 130V、额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，提供高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类的电气性能。该 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。