IRHMS57Z60SCS

数据手册

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IRHMS57Z60SCS
IRHMS57Z60SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 nC
  • QPL部件号
    2N7478T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    5.5 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS57Z60SCS 是一款抗辐射、30V、45A N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 低欧姆封装，是空间应用的理想选择。这些 R5 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用中的功率损耗。它们具有电压控制、快速开关和温度稳定性，保留了传统 MOSFET 的优点。

应用

文档

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