IRHMS9A3064
现货，推荐

IRHMS9A3064

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS9A3064
IRHMS9A3064
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    7 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS9A3064 R9 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，额定电压为 60V，额定电流为 45A，适用于空间应用。它具有低 RDS(on)、更快的开关速度以及更好的抗 SEE 能力。其电性能特征为TID高达300krad(Si)，LET高达90MeV·cm2/mg。该 COTS 器件采用 TO-254AA 低欧姆封装，引线朝下。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区