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IRHN57250SE

数据手册
封装

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IRHN57250SE
IRHN57250SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    31 A
  • QG
    132 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    60 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SMD-1
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    5
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHN57250SE N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射器件，具有 200V 和 31A 能力，具有低 RDS(on)、低栅极电荷和成熟的 MOSFET 优势。该 COTS MOSFET 非常适合空间应用，其 SEE 特点是实用性能高达 LET 80 MeV·cm2/mg。该设备可降低 DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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