现货，推荐

IRHNA57160D

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA57160D
IRHNA57160D
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL Part Number
    2N7469U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHNA57160-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f3efe7115e
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57160D R5 N 沟道 MOSFET 是采用紧凑型 SMD-2 封装的单个、抗辐射、100V、69A 元件。其电气性能可承受高达 100krad(Si) TID，并且是一种 COTS 设备。它的低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择，同时保留了 MOSFET 的所有优点，例如电压控制和快速开关。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }