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IRHNA57160D

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IRHNA57160D
IRHNA57160D

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL Part Number
    2N7469U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHNA57160-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f3efe7115e
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 on carrier
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57160D R5 N 沟道 MOSFET 是采用紧凑型 SMD-2 封装的单个、抗辐射、100V、69A 元件。其电气性能可承受高达 100krad(Si) TID,并且是一种 COTS 设备。它的低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择,同时保留了 MOSFET 的所有优点,例如电压控制和快速开关。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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