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微控制器
32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2xx安全模块
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32 位TriCore™ AURIX™ – TC3xx
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNA57160D
商品详情
-
ESD ClassClass 3B
-
ID (@100°C) max69 A
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ID (@25°C) max75 A
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QG160 nC
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QPL Part Number2N7469U2
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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VF max1.2 V
-
Product CategoryRad hard MOSFETS
-
Optional TID Rating (kRad(si))100 300 500
-
PackageSMD-2
-
PolarityN
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GenerationR5
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Voltage Class100 V
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Die Size6
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QualificationCOTS
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LanguageSPICE
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ConfigurationDiscrete
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OPN
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Infineon stock last updated:
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||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-2 on carrier |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHNA57160D R5 N 沟道 MOSFET 是采用紧凑型 SMD-2 封装的单个、抗辐射、100V、69A 元件。其电气性能可承受高达 100krad(Si) TID，并且是一种 COTS 设备。它的低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择，同时保留了 MOSFET 的所有优点，例如电压控制和快速开关。