IRHNA6S7160

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA6S7160
IRHNA6S7160

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    10 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNA6S7160 是采用 SMD-2 封装的单个抗辐射 N 沟道 MOSFET,额定电压为 100V,额定电流为 56A。该 R6 器件的电气性能高达 100krad (Si) TID,具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,可降低开关应用中的功率损耗。LET额定值为90MeV·cm2/mg。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }