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IRHNA6S7260
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IRHNA6S7260 R6 N 沟道 MOSFET 是一款单个抗辐射器件，额定电压为 200V，额定电流为 40A。它采用 SMD-2 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID 分类。由于具有低 RDS(on) 和栅极电荷，该 MOSFET 非常适合空间应用中的 DC-DC 转换器和电机控制器。