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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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IRHNJ57Z30
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
ID (@100°C) max22 A
-
ID (@25°C) max22 A
-
QG65 nC
-
QPL部件号2N7479U3
-
RDS (on) (@25°C) max20 mΩ
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS30 V
-
VF max1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装SMD-0.5
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
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| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid | |
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| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
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| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
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|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.5 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
R5 技术是 COTS 抗辐射单 N 沟道 MOSFET IRHNJ57Z30 的基础，其额定电压为 30V，电流为 22A，电气性能高达 100krad(Si) TID。引脚向上的 SMD-0.5 封装适用于 DC-DC 转换器和电机控制。低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少功率损耗。