现货，推荐

IRHNJ57Z30

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ57Z30
IRHNJ57Z30
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    65 nC
  • QPL Part Number
    2N7479U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    20 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R5 技术是 COTS 抗辐射单 N 沟道 MOSFET IRHNJ57Z30 的基础，其额定电压为 30V，电流为 22A，电气性能高达 100krad(Si) TID。引脚向上的 SMD-0.5 封装适用于 DC-DC 转换器和电机控制。低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }