IRHNJ57Z30
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IRHNJ57Z30

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IRHNJ57Z30
IRHNJ57Z30
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    22 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    65 nC
  • QPL部件号
    2N7479U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    20 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
R5 技术是 COTS 抗辐射单 N 沟道 MOSFET IRHNJ57Z30 的基础，其额定电压为 30V，电流为 22A，电气性能高达 100krad(Si) TID。引脚向上的 SMD-0.5 封装适用于 DC-DC 转换器和电机控制。低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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