IRHNJ63130
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IRHNJ63130

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IRHNJ63130
IRHNJ63130
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    19 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7587U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    42 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ63130 是一款抗辐射单 N 沟道 MOSFET，具有 100V 和 22A 的能力。SMD-0.5 封装的 R6 MOSFET 对 SEE 和 LET 的抗干扰能力提高到 90MeV·cm2/mg，是空间应用的理想选择。低 RDS(on)、快速开关和 MOSFET 优势可降低功率损耗并提高 DC-DC 转换器和电机控制器的功率密度。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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