IRHNJ63234SCS
现货，推荐

IRHNJ63234SCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ63234SCS
IRHNJ63234SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7593U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    210 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ63234SCS 是一款采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 R6 MOSFET，专为空间应用而设计，具有高达 90MeV·cm2/mg 的抗 SEE 和 LET 能力。其电压为250V，电流容量为12.4A，电气性能高达300krad(Si) TID，符合QIRL分类。R6 技术可在高速应用中实现高性能电源管理，并保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区