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IRHNJ7230

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IRHNJ7230
IRHNJ7230

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ7230 具有 200V 和 9.4A 额定值,非常适合空间应用。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷,可降低开关应用中的功率损耗。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID 分类,可确保在恶劣环境下的可靠性。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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