IRHNJ7230
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IRHNJ7230

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IRHNJ7230
IRHNJ7230
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    400 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ7230 具有 200V 和 9.4A 额定值，非常适合空间应用。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID 分类，可确保在恶劣环境下的可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区