IRHNJ9230
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IRHNJ9230

数据手册
封装

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IRHNJ9230
IRHNJ9230
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    -4.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -6.5 A
  • QG
    45 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    800 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ9230 是一款 R4、抗辐射、-200V、-6.5A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-0.5 封装。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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