IRHNJ9A7034
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IRHNJ9A7034

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封装

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IRHNJ9A7034
IRHNJ9A7034
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    29 A
  • 最高 ID (@25°C)
    40 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7647U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ9A7034 是抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET，具有 60V 和 40A 能力。该单个 MOSFET 采用 SMD-0.5 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID，并属于 COTS 分类。该设备具有改进的 SEE 抗扰度、低 RDS(on) 和更快的开关时间，非常适合空间中的 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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