IRHNJC67230
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IRHNJC67230

数据手册
封装

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IRHNJC67230
IRHNJC67230
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7591U3C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5C
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJC67230 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、200V、16A 单个器件，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，采用带陶瓷盖的 SMD-0.5 封装。这款 R6 COTS MOSFET 的电气性能高达 300krad(Si) TID。它非常适合空间应用，可在卫星总线和有效载荷电源系统中提供快速切换、电压控制和高可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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