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IRHNJC67230

数据手册
封装

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IRHNJC67230
IRHNJC67230
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5C
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJC67230 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、200V、16A 单个器件，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，采用带陶瓷盖的 SMD-0.5 封装。这款 R6 COTS MOSFET 的电气性能高达 300krad(Si) TID。它非常适合空间应用，可在卫星总线和有效载荷电源系统中提供快速切换、电压控制和高可靠性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }