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IRHNJC9A7130

数据手册
封装

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IRHNJC9A7130
IRHNJC9A7130
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL Part Number
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5C
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class max
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJC9A7130 提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。该 MOSFET 的最大额定值为 100V 和 22A，具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，可在高速开关应用中提高功率密度。R9超结技术提供卓越的功率MOSFET性能和可靠性，使其成为空间DC-DC转换器和电机控制器的理想选择。

应用

文档

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