IRHNJC9A7130
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IRHNJC9A7130

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IRHNJC9A7130
IRHNJC9A7130
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    22 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    34 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5C
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 最高 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJC9A7130 提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。该 MOSFET 的最大额定值为 100V 和 22A，具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，可在高速开关应用中提高功率密度。R9超结技术提供卓越的功率MOSFET性能和可靠性，使其成为空间DC-DC转换器和电机控制器的理想选择。

应用

文档

设计资源

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