IRHNMC57214SE
不建议用于新设计

IRHNMC57214SE

From 20 V to 650 V, space-qualified to DLA and ESA standards. This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHNMC57214SE
IRHNMC57214SE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B per MIL-STD-750, Method 1020
  • 最高 ID (@25°C)
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1700 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNMC57214SE 是一款专为空间应用而设计的抗辐射 R5 MOSFET。它提供 250V、3.7A 容量，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低高速开关中的功率损耗。已证实 SEE 的 LET 高达 80MeV·cm2/mg。采用 SMD-0.2C 封装，这是用于高可靠性航天器应用的 COTS 部件，具有电气参数的温度稳定性。

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化
  • 低 RDS(on)
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 低总栅极电荷
  • 密封
  • 陶瓷封装
  • 表面贴装
  • 重量轻
  • ESD 等级：1B 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区