IRHNS57064SCS

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IRHNS57064SCS
IRHNS57064SCS

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7468U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    5.6 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
这款 R5 N 沟道 MOSFET IRHNS57064SCS 采用抗辐射技术,工作电压为 60V,工作电流为 75A,符合 QIRL 太空级标准。它采用 SupIR-SMD 封装,提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。IRHNS57064SCS 具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,可最大程度地减少功率损耗,为空间应用提供高性能电源。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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