IRHNS57260SE
现货，推荐

IRHNS57260SE

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNS57260SE
IRHNS57260SE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    34 A
  • 最高 ID (@25°C)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL部件号
    2N7473U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    38 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNS57260SE R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，具有 200V 和 53A 的能力，非常适合空间应用。采用 SupIR-SMD 封装，其电气性能高达 100krad(Si) TID，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，从而降低了功率损耗。COTS 抗辐射 MOSFET 具有快速开关、电压控制和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区