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IRHNS57260SE

数据手册
封装

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IRHNS57260SE
IRHNS57260SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    34 A
  • ID (@25°C) max
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL Part Number
    2N7473U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    38 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS57260SE R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，具有 200V 和 53A 的能力，非常适合空间应用。采用 SupIR-SMD 封装，其电气性能高达 100krad(Si) TID，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，从而降低了功率损耗。COTS 抗辐射 MOSFET 具有快速开关、电压控制和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

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